Número de Producto del Fabricante:
TSM1NB60CW RPG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM1NB60CW RPG-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventario:
9590 Pcs Nuevos Originales En Stock
12894919
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ENVIAR
TSM1NB60CW RPG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
138 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
TSM1NB60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TSM1NB60CWRPGDKR
TSM1NB60CWRPGCT
TSM1NB60CWRPGTR
TSM1NB60CW RPGDKR-DG
TSM1NB60CW RPGTR-DG
TSM1NB60CW RPGCT-DG
TSM1NB60CW RPGTR
TSM1NB60CW RPGCT
TSM1NB60CW RPGDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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